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首  页 > 产品展示 > 分立半导体产品 > 晶体管-fet, mosfet 单 > IXTD1R4N60P 11

IXTD1R4N60P 11

IXYS

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产品概述

型号 IXTD1R4N60P 11
厂家/品牌 IXYS
产品描述 MOSFET N-CH 600V 1.4A DIE
数据库 IXTD1R4N60P 11.pdf
RoHs状态
库存状况 Out Stock
发货地 Hong Kong
运输方式 DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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产品特性

  • 型号IXTD1R4N60P 11
  • 制造商IXYS
  • 描述MOSFET N-CH 600V 1.4A DIE
  • 产品分类46
  • 产品状态0 pcs Stock
  • 驱动电压（最大Rds开，最小Rds开）10V
  • 输入电容（Ciss）（Max）@ Vds140 pF @ 25 V
  • 系列PolarHV™
  • 类别Discrete Semiconductor Products-->Transistors-->FETs, MOSFETs-->Single FETs, MOSFETs
  • 电流 - 25°C连续排水（Id）1.4A (Tc)
  • 漏极至源极电压（Vdss）600 V
  • 栅极电荷（Qg）（Max）@ Vgs5.2 nC @ 10 V
  • 技术MOSFET (Metal Oxide)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
  • 封装/箱体Die
  • 安装类型Surface Mount
  • 基本产品编号IXTD1R4
  • 包裹Tube
  • 功率耗散（最大）50W (Tc)
  • 供应商设备封装Die
  • 产品状态Obsolete
  • Vgs（最大）±30V
  • VGS（TH）（最大）@标识5.5V @ 25µA
  • RDS（ON）（最大值）@标识，栅极电压9Ohm @ 700mA, 10V
  • FET特点-
  • FET型N-Channel

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